先进封装

1.半导体前道先进封装 RDL 工艺，等离子去胶机通过三维结构处理技术，清除扇出型封装（FOWLP）中 RDL 线路侧壁、TGV 通孔等高深宽比结构的光刻胶残留。

2.半导体前道3D IC 封装，ICP 去胶技术通过 O₂/CHF₃等离子体均匀去除复杂三维结构中的残留胶，避免湿法腐蚀对金属互连层的损伤，适用于 TSV（硅通孔）和微凸块工艺。