刻蚀案例
lMEMS 加速度计的高深宽比刻蚀,通过 RIE 刻蚀实现硅基谐振结构的高精度加工，支撑电磁感应式三轴磁场测量。
l导航系统磁场传感器的 RIE刻蚀,采用 RIE（Cl₂/Ar)纳米级对准标记加工刻蚀 SiO₂掩模，结合 DRIE（Bosch 工艺）支撑复杂结构的高精度加工。
l植入式生物传感器 ICP-SiC 刻蚀,采用 ICP（SF₆/O₂/Ar）对硬质材料4H-SiC刻蚀 ，支撑高温生物传感器的可靠性。
l硅超薄膜钨纳米光栅 ICP-RIE 刻蚀，采用 ICP-RIE（SF₆/Cl₂）刻蚀钨薄膜，纳米级结构加工，提升极紫外（EUV）光学器件开发。
沉积案例
lSc-AlN PMUT 传感器，通过 PECVD 沉积高频压电薄膜，支撑单芯片集成的微型水听器实现高灵敏度声场检测。
l微流控 PCR 芯片的疏水涂层，需通过 PECVD 在 ITO 玻璃微流控芯片表面涂覆超疏水涂层，实现液滴精准操控。
l硅基微镜阵列的三维结构制造，低温 ICP CVD 填充高深宽比沟槽，支撑微镜阵列实现光束扫描。
lPdSe₂压阻式压力传感器的 PECVD 低温沉积，采用 PECVD（SiH₄/SeH₂）在 SiNx 衬底上直接生长 PdSe₂薄膜，结合无掩膜光刻技术，支撑差压传感器灵敏度提高。
