刻蚀案例
l硅光平台需通过 RIE 与 ICP 刻蚀实现氮化硅（SiN）波导的高精度加工，支撑共封装光学（CPO）与高速光引擎应用。
l光栅耦合器的 RIE 刻蚀，采用 RIE（Cl₂/Ar，）刻蚀厚硅光栅硅，实现硅 - 铌酸锂平台的高效光纤耦合。
lICP 刻蚀氮化硅光子晶体微腔工艺,采用 SF₆/O₂等离子体通过 ICP 刻蚀实现 SiN 光子晶体微腔的高精度加工，提升片上光频梳与光学神经网络应用。
l量子通信激光器的 ICP 刻蚀，采用 ICP（Cl₂/Ar）刻蚀 InGaAs 量子点阵列，提升激光器的量子效率。
沉积案例
l硅光平台需通过 PECVD 沉积氮化硅（SiN）波导，支撑共封装光学（CPO）与高速光引擎应用。
l硅基马赫 - 曾德尔调制器需通过 PECVD 沉积低损耗包层材料，双层介质设计 SiO₂（PECVD 沉积，TEOS/O₂）作为绝缘层，SiN（PECVD，SiH₄/NH₃）作为光学限制层，效抑制光泄漏。
l氮化硅光子晶体微腔，通过 PECVD 沉积 SiN 薄膜，支撑片上光频梳与光学神经网络应用。
l共封装光学（CPO）技术，采用 ICP CVD 在模塑封装（Mold-First）中沉积SiN 光学层，实现光互连密度。
l硅基量子点需通过 ICP CVD 沉积应力薄膜，实现单光子发射波长精确控制。
