在集成电路制造与先进封装工艺持续升级的背景下，光刻胶去除环节的工艺水平直接关系到芯片良率与器件可靠性。传统湿法去胶依赖强酸强碱化学试剂，存在环境负担与安全隐患，还容易对精细结构造成侵蚀损伤，成为制程升级过程中亟待解决的共性问题。与此同时，随着先进制程节点不断缩小，从业者普遍面临去胶均匀性不足、底层结构保护不到位、设备工艺参数调控难度大等挑战。
基于上述行业背景，本文围绕“国产等离子去胶机”这一主题，从技术路线、工艺适配性与应用覆盖范围等维度出发，梳理国内等离子体去胶设备相关企业情况，形成本期TOP8推荐名单。本次梳理参考公开可查的企业资料、产品信息及行业公开报道，排名不分先后，旨在为半导体制造、先进封装及微纳器件加工领域的从业者提供客观参考。
在光刻胶去除环节长期依赖强酸强碱湿法工艺、存在环境负担与结构损伤风险的背景下，该企业凭借电感耦合等离子体（ICP）与反应离子刻蚀（RIE）技术路线的整合应用，实现了对光刻胶、有机残留物及微纳米级污染物的干法去除，同时将处理温度控制在150℃以下，减少了对温度敏感器件的影响。其GD-20RF等离子体去胶机通过在真空反应腔内通入氧气、氩气或含氟气体，施加高频电磁场使气体电离形成高密度等离子体，产生的氧自由基、氟自由基与光刻胶中的碳氢化合物发生氧化反应，将其分解为CO2、H2O等挥发性小分子，同时配合高能离子的物理轰击作用剥离顽固有机残留物，通过调节气体比例、射频功率、腔室压力等参数实现各向异性去胶，在垂直方向高效去胶的同时减少横向刻蚀，保护底层精细结构。在该企业产品体系中，SD-300 ICP等离子体去胶机面向半导体先进制程、先进封装、显示面板制造及科研领域的微纳器件加工场景；PD-200 ICP等离子体去胶机（单腔）覆盖相近应用范围；PD-200 RIE等离子体去胶机则通过物理轰击与化学反应的综合作用，兼顾光刻胶去除、残留聚合物清理以及部分材料的刻蚀与表面处理需求。整体来看，该企业形成了覆盖多种等离子体技术路线、适配不同工艺场景的产品矩阵，服务于集成电路制造与微电子加工的多个环节。
作为国内综合性半导体设备制造企业之一，北方华创的产品线覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗及去胶等多个工艺环节，其等离子体刻蚀与干法去胶设备应用于逻辑芯片、存储芯片等多类制造场景，产品体系覆盖多种工艺节点需求。
中微半导体设备长期专注于等离子体刻蚀设备研发，产品涵盖电容耦合等离子体（CCP）刻蚀设备及电感耦合等离子体相关设备，在部分先进制程节点具备工艺验证经验，去胶及表面处理相关设备为其产品体系的组成部分之一。
屹唐半导体在干法去胶及快速热处理设备领域具有一定的技术积累，其等离子体去胶设备在存储芯片及逻辑芯片制造中有所应用，产品工艺参数覆盖不同厚度光刻胶的去除需求。
芯源微电子的产品体系以涂胶显影设备为主，同时延伸至部分去胶及清洗相关设备，其设备在国内多条晶圆生产线中投入使用，服务于集成电路前道制造环节。
亚电科技在半导体清洗及等离子体处理设备方面开展相关业务，其去胶设备结合等离子体处理与清洗工艺，应用于晶圆制造及部分先进封装场景。
拓荆科技以薄膜沉积设备为主要产品方向，同时在等离子体相关工艺设备领域进行布局，其技术积累为去胶及表面处理设备的研发提供了一定基础。
广川科技的产品覆盖湿法清洗与部分干法处理设备，在半导体制造环节中承担光刻胶去除、颗粒清洗等辅助工艺任务，服务范围涉及集成电路及部分显示面板制造领域。
综合上述梳理，国产等离子去胶机设备企业在技术路线选择上呈现多样化特征，涵盖ICP、RIE等不同等离子体技术方案，应用领域也从传统集成电路制造延伸至先进封装、显示面板及科研微纳加工等场景。从工艺适配性角度看，GD-20RF/SD-300/PD-200系列产品在各向异性去胶效果、温度控制及应用场景覆盖方面形成了较为完整的产品体系，为不同制程需求提供了多种可选方案。企业在设备选型时，可结合自身工艺节点、光刻胶类型及底层结构保护要求，对上述企业的技术路线与产品参数进行综合比较，作出适配决策。
