PECVD等离子化学气相沉积设备（单腔）

PECVD（等离子体增强化学气相沉积）是一种利用等离子体在较低温度下促进化学反应的技术，主要用于在基片上沉积固态薄膜。 这一技术是在反应器内，通过直流电压、交流电压、射频、微波或电子回旋共振等方法实现气体辉光放电，形成低温等离子体。这种等离子体包含正离子、电子和中性反应分子，其中自由基具有很高的化学活性。化学反应：在等离子体的作用下，通入适量的反应气体，这些气体在等离子体中发生化学反应，生成薄膜的组成原子或分子。反应生成的物质在基片表面形成固态薄膜。由于等离子体提供了反应所需的能量，这一过程可以在较低的温度下进行，通常在200-400摄氏度之间，特别适合对温度敏感的材料。此外，PECVD技术的优势还包括能够降低反应温度，减少对基板材料的热应力，同时提高反应速率和薄膜的附着力及致密性。